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企業(yè)資質(zhì)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

普通會(huì)員4
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企業(yè)等級(jí):普通會(huì)員
經(jīng)營模式:生產(chǎn)加工
所在地區(qū):廣東 廣州
聯(lián)系賣家:曾經(jīng)理
手機(jī)號(hào)碼:15018420573
公司官網(wǎng):www.micronanolab.com
企業(yè)地址:廣州市天河區(qū)長興路363號(hào)
本企業(yè)已通過工商資料核驗(yàn)!
企業(yè)概況

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,其前身是2010年10月在成立的廣東半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院。2015年6月經(jīng)省政府批準(zhǔn),由原廣東省科學(xué)院、廣東省工業(yè)技術(shù)研究院(廣州有色金屬研究院)、廣東省測(cè)試分析研究所(中國廣州分析測(cè)試中心)、廣東省石油化工研究院等研究院所整合重組新廣......

圖形光刻芯片制作-半導(dǎo)體鍍膜-湖北光刻芯片制作

產(chǎn)品編號(hào):1000000000024838152                    更新時(shí)間:2023-05-17
價(jià)格: 來電議定
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

  • 主營業(yè)務(wù):深硅刻蝕,真空鍍膜,磁控濺射,材料刻蝕,紫外光刻
  • 公司官網(wǎng):www.micronanolab.com
  • 公司地址:廣州市天河區(qū)長興路363號(hào)

聯(lián)系人名片:

曾經(jīng)理 15018420573

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產(chǎn)品詳情





MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要,從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。


在半導(dǎo)體電路中,除了用于可控導(dǎo)電的各種二極管、三極管外,還必須要用絕緣物質(zhì)將不同的電路隔離開來。對(duì)于硅基元素來說,形成這種絕緣物質(zhì)的方法就是將硅進(jìn)行氧化,形成二氧化硅(SiO2)了。

SiO2是自然界中常見的一種材料,圖形光刻芯片制作,也是玻璃的主要元素。SiO2材料的主要特點(diǎn)有:具有高熔點(diǎn)和高沸點(diǎn)(分別為1713 o C和2950o C)不溶于水和部分酸,溶于具有良好的絕緣性、保護(hù)性和化學(xué)穩(wěn)定性

由于以上特性,SiO2在芯片制備的多個(gè)步驟工藝中被反復(fù)使用。芯片工藝中的氧化工藝是在半導(dǎo)體制造過程中,湖北光刻芯片制作,在硅晶圓表面形成一層薄薄的SiO2層的過程。這層氧化層有以下作用:作為絕緣層,阻止電路之間的漏電

作為保護(hù)層,防止后續(xù)的離子注入和刻蝕過程中對(duì)硅晶圓造成損傷

作為掩膜層,定義電路圖案




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光刻加工中的光刻套件主要在硅材料上進(jìn)行光刻,用于器件制造的商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)光刻膠圖案。圖片所示設(shè)備,盡管套件設(shè)置為150毫米,但也可以處理更小的晶圓和碎片處理。在實(shí)際光刻加工中,確保一致的質(zhì)量抗蝕劑1 μm厚涂層,不均勻性< +/- 0.5 %與3 mm邊緣排除,實(shí)現(xiàn)分辨率:1 μm線條和空間,目標(biāo)特征上的86°輪廓。

光刻套件對(duì)于大家來說可能有些陌生,根據(jù)ANFF-Q 大學(xué)介紹并展示的圖片來看好像并沒有那么復(fù)雜。



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在半導(dǎo)體工藝?yán)?,紫外光刻芯片制作,沉積是指在原子或分子水平上,將材料沉積在晶圓表面作為一個(gè)薄層的過程。沉積工藝就像是噴涂刷,將涂料均勻的薄薄噴灑在晶圓表面上。

根據(jù)實(shí)現(xiàn)方法的不同,沉積主要分為物***相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)。

PVD是利用物理方法,將材料源氣化成氣態(tài)原子、分子,或電離成離子,并通過低壓氣體,在基體表現(xiàn)沉積成薄膜的過程。一般用來沉積金屬薄膜。

CVD是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物,在襯底表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成薄膜的方法。一般用于沉積半導(dǎo)體或絕緣體,以及金屬合金等。

為了增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng),CVD也可以與其他方法相結(jié)合。如PECVD(等離子增強(qiáng)CVD,就是利用等離子體來化學(xué)反應(yīng),改善CVD的方法。

根據(jù)不同目標(biāo)和需求,PVD和CVD在實(shí)際工藝流程中也可以自由選擇。




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圖形光刻芯片制作-半導(dǎo)體鍍膜-湖北光刻芯片制作由廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所提供。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東 廣州 ,電子、電工產(chǎn)品加工的見證者,多年來,公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠實(shí)守信的方針,滿足客戶需求。在半導(dǎo)體研究所***攜全體員工熱情歡迎各界人士垂詢洽談,共創(chuàng)半導(dǎo)體研究所更加美好的未來。

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所電話:020-61086420傳真:020-61086422聯(lián)系人:曾經(jīng)理 15018420573

地址:廣州市天河區(qū)長興路363號(hào)主營產(chǎn)品:深硅刻蝕,真空鍍膜,磁控濺射,材料刻蝕,紫外光刻

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