光刻膠分類
市場上，光刻膠產(chǎn)品依據(jù)不同標準，可以進行分類。依照化學反應和顯影原理分類，光刻膠可以分為正性光刻膠和負性光刻膠。使用正性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相同；使用負性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相反。
按照感光樹脂的化學結(jié)構(gòu)分類，光刻膠可以分為①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發(fā)單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點；②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應，可以制成正性膠；7億元，同比增長11%，高于國際市場增速，但***占比仍不足15%，發(fā)展空間巨大。③光交聯(lián)型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。
按照***波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同***波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越小，加工分辨率越佳。芯片光刻的流程詳解（二）所謂光刻，根據(jù)維基百科的定義，這是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用***和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。
光刻工藝主要性一
光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調(diào)試。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。在前烘過程中，由于溶劑揮發(fā)，光刻膠厚度也會減薄，一般減薄的幅度為10％－20％左右。
針對不同應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實現(xiàn)。因此，通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商核心的技術(shù)。
此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與***波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。
NR9-3000PYNR74g 3000PY光刻膠公司
二、預烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）
由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。
底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉(zhuǎn)涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。
NR77-25000P,RD8
品牌
產(chǎn)地
型號
厚度
***
應用
加工
特性
Futurrex
美國
NR71-1000PY
0.7μm~2.1μm
高溫耐受
用于i線***的負膠
LEDOLED、
顯示器、
MEMS、
封裝、
生物芯片等
金屬和介電
質(zhì)上圖案化，
不必使用RIE
加工器件的永
組成
（OLED顯示
器上的間隔
區(qū)）凸點、
互連、空中
連接微通道
顯影時形成光刻膠倒
梯形結(jié)構(gòu)
厚度范圍：
0.5～20.0 μm
i、g和h線***波長
對生產(chǎn)效率的影響：
金屬和介電質(zhì)圖案化
時省去干法刻蝕加工
不需要雙層膠技術(shù)
NR71-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR71-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9-100PY
粘度增強
NR9-1500PY
NR9-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY
NR71G-1000PY
負膠對 g、h線波長的靈敏度
NR71G-1500PY
NR71G-3000PY
NR71G-6000PY
NR9G-100PY
0.7μm～2.1μm
NR9G-1500PY
1.3μm～3.1μm
NR9G-3000PY
NR9G-6000PY
耐熱溫度
PR1-500A
0.4μm～0.9μm
