薄膜應(yīng)力測(cè)試儀 薄膜應(yīng)力測(cè)試儀，又名薄膜殘余應(yīng)力測(cè)試儀或薄膜應(yīng)力儀，是專(zhuān)門(mén)用于測(cè)試和研究薄膜材料和薄膜制備工藝的必不可少的工具。 薄膜中應(yīng)力的大小和分布對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有重要的影響, 可導(dǎo)致薄膜的光、電、磁、機(jī)械性能改變. 例如, 薄膜中的應(yīng)力是導(dǎo)致膜開(kāi)裂或與基體剝離的主要因素, 薄膜中存在的殘余應(yīng)力很多情況下影響MEMS 器件結(jié)構(gòu)的特性, 甚至嚴(yán)重劣化器件的性能, 薄膜的內(nèi)應(yīng)力對(duì)薄膜電子器件和薄膜傳感器的性能有很大的影響.因此, 薄膜應(yīng)力研究在薄膜基礎(chǔ)理論和應(yīng)用研究中起到重要的作用, 薄膜應(yīng)力的測(cè)量備受關(guān)注。再例如在硬質(zhì)薄膜領(lǐng)域，金屬氮化物、氧化物、碳化物等硬質(zhì)薄膜因具有優(yōu)越的耐磨、耐腐蝕等特性，被廣泛應(yīng)用于金屬材料的防護(hù)．硬質(zhì)薄膜的主要制備方法包括物***相沉積和化學(xué)氣相沉積技術(shù)．研究發(fā)現(xiàn)，沉積態(tài)硬質(zhì)薄膜中存在較大的殘余應(yīng)力，而且沿層深分布不均勻；該殘余應(yīng)力對(duì)硬質(zhì)薄膜一基體系統(tǒng)的性能影響很大-lJ_***地測(cè)量硬質(zhì)薄膜的殘余應(yīng)力，系統(tǒng)研究它與沉積工藝的關(guān)系，對(duì)優(yōu)化硬質(zhì)薄膜基體系統(tǒng)的性能具有重要的意義． 本公司提供的薄膜應(yīng)力測(cè)試儀采用優(yōu)化的光杠桿的原理，根據(jù)我們科研工作者長(zhǎng)期的扎實(shí)的理論研究和實(shí)際工藝探索，研制的一套適用于各種薄膜應(yīng)力測(cè)試的裝置。近年來(lái)，經(jīng)過(guò)國(guó)內(nèi)知名院校和科研單位的實(shí)際使用和驗(yàn)證，該儀器具有良好的重復(fù)性和準(zhǔn)確性，是一款廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域薄膜制備和材料研究的高性價(jià)比的儀器。 產(chǎn)品功能和特點(diǎn)： 自動(dòng)采集分析數(shù)據(jù)功能； 自動(dòng)掃查樣品邊緣，***樣品中心； 自動(dòng)計(jì)算出曲率半徑值和薄膜應(yīng)力值； 對(duì)原始表面不平直的基片表面的薄膜，可采取原位測(cè)量的方式，計(jì)算薄膜應(yīng)力值。 技術(shù)參數(shù)： 1.原理：曲率法Stoney公式 2.薄膜應(yīng)力測(cè)量范圍：1×10-2GPa到1×102GPa； 3.曲率半徑測(cè)試范圍：0.3-60m 4.曲率半徑測(cè)試誤差：﹤±1% 5.薄膜應(yīng)力計(jì)算誤差：﹤±2.5% 6.測(cè)試平臺(tái)行程：100mm 7.控制：***PC及控制軟件 8.儀器尺寸：1500x1500x430mm 詳細(xì)信息請(qǐng)咨詢我們。